供應(yīng)美國(guó)仙童FAIRCHILD半導(dǎo)體
簡(jiǎn)介
Fairchild半導(dǎo)體中的雜質(zhì)對(duì)電阻率的影響非常大。Fairchild半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)時(shí)，雜質(zhì)原子附近的周期勢(shì)場(chǎng)受到干擾并形成附加的束縛狀態(tài)，在禁帶中產(chǎn)生附加的雜質(zhì)能級(jí)。例如四價(jià)元素鍺或硅晶體中摻入五價(jià)元素磷、砷、銻等雜質(zhì)原子時(shí)，雜質(zhì)原子作為晶格的一分子，其五個(gè)價(jià)電子中有四個(gè)與周?chē)逆N（或硅）原子形成共價(jià)結(jié)合，多余的一個(gè)電子被束縛于雜質(zhì)原子附近，產(chǎn)生類(lèi)氫能級(jí)。雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶上方靠近導(dǎo)帶底附近。雜質(zhì)能級(jí)上的電子很易激發(fā)到導(dǎo)帶成為電子載流子。這種能提供電子載流子的雜質(zhì)稱(chēng)為施主，相應(yīng)能級(jí)稱(chēng)為施主能級(jí)。施主能級(jí)上的電子躍遷到導(dǎo)帶所需能量比從價(jià)帶激發(fā)到導(dǎo)帶所需能量小得多。在鍺或硅晶體中摻入微量三價(jià)元素硼、鋁、鎵等雜質(zhì)原子時(shí)，雜質(zhì)原子與周?chē)膫€(gè)鍺（或硅）原子形成共價(jià)結(jié)合時(shí)尚缺少一個(gè)電子，因而存在一個(gè)空位，與此空位相應(yīng)的能量狀態(tài)就是雜質(zhì)能級(jí)，通常位于禁帶下方靠近價(jià)帶處。價(jià)帶中的電子很易激發(fā)到雜質(zhì)能級(jí)上填補(bǔ)這個(gè)空位，使雜質(zhì)原子成為負(fù)離子。價(jià)帶中由于缺少一個(gè)電子而形成一個(gè)空穴載流子。這種能提供空穴的雜質(zhì)稱(chēng)為受主雜質(zhì)。存在受主雜質(zhì)時(shí)，在價(jià)帶中形成一個(gè)空穴載流子所需能量比本征Fairchild半導(dǎo)體情形要小得多。Fairchild半導(dǎo)體摻雜后其電阻率大大下降。加熱或光照產(chǎn)生的熱激發(fā)或光激發(fā)都會(huì)使自由載流子數(shù)增加而導(dǎo)致電阻率減小，F(xiàn)airchild半導(dǎo)體熱敏電阻和光敏電阻就是根據(jù)此原理制成的。對(duì)摻入施主雜質(zhì)的Fairchild半導(dǎo)體，導(dǎo)電載流子主要是導(dǎo)帶中的電子，屬電子型導(dǎo)電，稱(chēng)N型Fairchild半導(dǎo)體。摻入受主雜質(zhì)的Fairchild半導(dǎo)體屬空穴型導(dǎo)電，稱(chēng)P型Fairchild半導(dǎo)體。Fairchild半導(dǎo)體在任何溫度下都能產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，故N型Fairchild半導(dǎo)體中可存在少量導(dǎo)電空穴，P型Fairchild半導(dǎo)體中可存在少量導(dǎo)電電子，它們均稱(chēng)為少數(shù)載流子。在Fairchild半導(dǎo)體器件的各種效應(yīng)中，少數(shù)載流子常扮演重要角色。
分類(lèi)
Fairchild半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素Fairchild半導(dǎo)體和化合物Fairchild半導(dǎo)體兩大類(lèi)。鍺和硅是zui常用的元素Fairchild半導(dǎo)體；化合物Fairchild半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)Fairchild半導(dǎo)體外，還有非晶態(tài)的玻璃Fairchild半導(dǎo)體、有機(jī)Fairchild半導(dǎo)體等。
Fairchild半導(dǎo)體的分類(lèi)，按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電Fairchild半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲(chǔ)存器等大類(lèi)，一般來(lái)說(shuō)這些還會(huì)被分成小類(lèi)。此外還有以應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計(jì)方法等進(jìn)行分類(lèi)，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進(jìn)行分類(lèi)的方法。此外，還有按照其所處理的信號(hào)，可以分成模擬、數(shù)字、模擬數(shù)字混成及功能進(jìn)行分類(lèi)的方法。
供應(yīng)美國(guó)仙童FAIRCHILD半導(dǎo)體
特點(diǎn)
Fairchild半導(dǎo)體五大特性∶摻雜性，熱敏性，光敏性，負(fù)電阻率溫度特性，整流特性。
★在形成晶體結(jié)構(gòu)的Fairchild半導(dǎo)體中，人為地?fù)饺胩囟ǖ碾s質(zhì)元素，導(dǎo)電性能具有可控性。
★在光照和熱輻射條件下，其導(dǎo)電性有明顯的變化。
應(yīng)用
zui早的實(shí)用“Fairchild半導(dǎo)體”是「電晶體（Transistor）/二極體（Diode）」。
一、在無(wú)線電收音機(jī)（Radio）及電視機(jī)（evision）中，作為“訊號(hào)放大器/整流器”用。
二、發(fā)展「太陽(yáng)能（Solar Power）」，也用在「光電池（Solar Cell）」中。
三、Fairchild半導(dǎo)體可以用來(lái)測(cè)量溫度，測(cè)溫范圍可以達(dá)到生產(chǎn)、生活、醫(yī)療衛(wèi)生、科研教學(xué)等應(yīng)用的70%的領(lǐng)域，有較高的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性，分辨率可達(dá)0.1℃，甚至達(dá)到0.01℃也不是不可能，線性度0.2%，測(cè)溫范圍-100~+300℃，是性?xún)r(jià)比*的一種測(cè)溫元件。
四、Fairchild半導(dǎo)體致冷器的發(fā)展, 它也叫熱電致冷器或溫差致冷器, 它采用了帕爾貼效應(yīng).